Твёрдотельные накопители на базе 25 нм памяти типа MLC, выпущенной на совместном предприятии Intel и Micron, едва начали осваивать рынок, а на сайте Intel уже появился пресс-релиз, сообщающий о готовности компаний начать поставки 20 нм памяти типа MLC.
Сообщается, что переход на 20 нм технологию позволяет разместить на площади 118 кв.мм достаточное для хранения 8 гигабайт данных количество ячеек памяти. Это позволит уменьшить занимаемую микросхемой памяти площадь на 30-40% по сравнению с продуктами 25 нм поколения. Если пересчитать все выпускаемые IMFT микросхемы памяти в гигабайты хранимой информации, то переход на 20 нм техпроцесс позволит на 50% повысить выработку. Обещается, что 20 нм техпроцесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации, как и 25 нм техпроцесс. 
На этой иллюстрации можно сравнить размеры двух микросхем памяти типа MLC объёмом по 4 Гб, выпущенных с использованием 34 нм технологии (на фото слева), и одной микросхемы объёмом 8 Гб, выпущенной по 25 нм или 20 нм технологии (на фото в центре и справа, соответственно). Образцы 20 нм микросхем памяти объёмом 8 Гб уже поставляются в виде инженерных образцов, их массовое производство начнётся во второй половине текущего года. Тогда же появятся и образцы микросхем объёмом 16 Гб. Хотелось бы верить, что переход на 20 нм технологию не принесёт потребителям тех неприятностей, которые наблюдались при миграции на 25 нм техпроцесс.











Не так давно мы уже обсуждали качество картинки в обзоре первых мини-ITX Brazos. Если вычитали этот ...